摘要：在風能、生物質能等各類可再生能源中，光電由于其資源豐富、干凈、安靜等優勢而最具發展潛力。近年來，在國際光電市場的帶動下，我國光電產業發展迅速，但總體上仍處于成長初期。今后，我國應著重提高技術水平和拓展國內市場，實現光電產業快速發展。

　　關鍵詞：可再生能源;光電;發展策略

　　一、光電產業發展現狀及趨勢

　　(一)發達國家光電產業發展迅速。從20世紀90年代末開始，歐美、日本、韓國等國家紛紛實行“陽光計劃”，通過財政補貼、稅收和貸款優惠等方式培育和發展光電市場，極大促進了光電產業的發展。目前，發達國家光電技術和產業非常完備，單晶硅電池的實驗室效率已從20世紀50年代的6%提高到目前的24.7%，多晶硅實驗室效率也提高20.3%，非晶硅等電池的效率雖低于晶體硅電池，但較以前有所提高。全球范圍內光電技術發展很快，已進入大規模商業化階段。而商業化技術主要掌握在西班牙、德國、美國、澳大利亞和以色列等國手中。

　　從產量和產值上看。1995～2005年間，全球太陽能電池產量增長17倍。2005年，全球太陽能電池年產量達1650兆瓦，累計裝機發電容量超過50億瓦。預計到2010年，全球太陽能電池年產量有望達10400兆瓦，較2005年的年產量增長6.3倍;行業銷售收入有望達到450億美元，較2005年增長3.5倍。這主要受益于規模經濟、生產效率和工藝水平的提高。

　　從發展趨勢看，光伏發電在不遠的將來將成為世界能源的主體。據歐洲聯合研究中心預測，2030年光電電力在世界總電力的供應中將達10%以上，2040年達20%以上，2050年達30%以上，本世紀末將達60%以上。

　　(二)中國光電產業有了一定發展。一是產業規模快速擴張。中國光伏電池年產量從最初的幾兆瓦迅猛增到2006年的400兆瓦。2006年，中國已發展成為世界第三大光伏電池制造國。其中，無錫尚德電力在2008年成為全球第二大光伏企業。二是技術不斷進步。中國太陽能電池生產工藝技術日趨成熟，一些企業基本掌握了多晶硅加工技術，高純產量日益提高。據統計，2005年中國高純硅產量80噸，2006年產量約為286噸，2007年產量約1000噸，預計2008年將達10000噸。同時，非多晶硅薄膜電池產業也呈現迅猛發展的勢頭，很多國內企業通過與國外企業的合作已開始進行或計劃進行非多晶硅薄膜電池項目的投資。三是成本大幅下降。2000年，中國單晶硅太陽能電池發電成本為42—47元人民幣/千瓦時，非晶硅太陽能電池發電成本為23-25元人民幣/千瓦時。目前，光電成本約為3.5元人民幣/。千瓦時，光電產品的成本與常規能源發電成本進一步接近。

　　二、我國光電產業發展面臨的挑戰

　　(一)目標定位低。發達國家對光電產業發展比較重視，并制定了發展規劃。歐洲、美國和日本預計到2020年太陽能電池裝機容量分別為4100萬千瓦、3600萬千瓦和3000萬千瓦，而我國2020年的太陽能電池裝機容量為180萬千瓦，只相當于德國2007年的裝機容量。由于發展目標偏低，我國光電產業的可持續發展將受到嚴重影響。

　　(二)技術水平低。我國光電技術落后，表現在：(1)工藝水平落后。目前，高純度硅的生產工藝主要是“改良西門子法”，用這種提純方法生產的產品占80%以上的市場。“改良西門子法”是一個集化工、冶金、機械設計制造于一體的復雜綜合性工藝，屬于資金密集、技術密集型產業，該工藝主要掌握在日本德山、三菱和美國休斯電子材料等8家公司手中。(2)光伏電池效率低下。我國實驗室光伏電池的效率達21%，可商業化光伏組件效率達14—15%，一般商業電池效率10～13%，但國際高效聚光光伏電池效率已達32%，高效平板電池效率已達25～28%，我國落后發達國家10～15年，也明顯落后于印度和中國臺灣地區。(3)我國薄膜太陽能電池等技術與發達國家存在較大差距，關鍵設備依靠引進，自主創新能力欠缺。技術落后對我國造成的影響很大。首先，提高了原材料成本。掌控核心技術的外國企業經常結成聯盟，單方面提升高晶硅價格，硅材料價格已從2003年的20—30美元/公斤上漲到2006年的200—300美元/公斤。其次，消耗大量能源和資源。以洛陽中硅為例，該公司每公斤硅材料耗電量為300度，而國際同行每公斤硅材料耗電量僅為100度。

　　(三)產品出口比例高。我國96%的光電產品出口歐美市場特別是德國市場。一旦國外市場出現波動，我國光電產業將蒙受打擊。根據德國《再生能源法》規定，德國將從2009年開始逐步減少對光電產業的補助。2007年12月19日，美國總統布什簽署的《2007年能源自主和安全法案》提出，美國對太陽能和風能產業的稅收優惠到2008年結束。沒有聯邦政府的稅收支持政策，美國光電產業的發展速度很可能會大大減緩。隨著國際市場需求減少，我國光電產業將面臨一定的市場壓力。

　　三、促進我國光電產業發展的建議

　　(一)明確發展方向。首先，提升產業發展規模。只有擴大光電終端產品的需求，實現光電并網或購買與建筑相結合的光電終端產品，我國整個光電產業才能得到長遠發展，并推動技術進步。建議根據國內外光電產業市場發展趨勢，將2020年光電目標分為：低目標1000萬千瓦，中目標2000萬千瓦，高目標3000萬千瓦以上。其次，調整光電技術發展目標。近期目標是完全掌握歐美的“改良西門子法”、硅片切割技術、高效電池開發后續技術、硅薄膜電池技術;中長期目標是掌握第三代新型電池技術、有機薄膜太陽能電池技術、硅納米材料電池技術、二氧化鈦納米電池技術、化合物太陽電池技術、染料敏化太陽電池技術等。

　　(二)出臺扶持政策。我國光電產業發展處于成長初期，市場培育和發展離不開政策的支持。當前及今后一段時期，我國光電產業政策的重點應是開拓國內市場和進行技術創新，不應一味擴大出口和模仿國外技術。推動光電產業發展的政策可分為電價政策、財政政策和金融政策。電價政策是在國家法律框架范圍內確定合理的電價，并讓電價成本均攤到用戶中(個別地區除外)。金融政策主要是指開發銀行或其他國家專業銀行的優惠貸款。財政政策包括：以財政投入或財政風險投資基金的形式，支持技術研發;對支持光電產業的金融機構給予補貼;對光電產品給予各種稅收政策優惠。原則上，國家對光電產業的政策支持力度不應低于國家對其他可再生能源產業的支持力度。

　　(三)做好基礎工作。應成立國家級的光電技術研究中心，負責技術研發、標準制定以及監測工作。明確政府部門在光電產業發展上的職責范圍，加強部門間的溝通和協調。培養高技術人才。從人才機制建設人手，吸引國內外高素質、創新型技術人才從事光電技術研發工作，并加強光電專業人才的培訓。